BUZ73A H
Numărul de produs al producătorului:

BUZ73A H

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BUZ73A H-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventar:

12802527
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BUZ73A H Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP000683004
BUZ73A H-DG
BUZ73AHXKSA1
BUZ73AH
Pachet standard
500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRFI630GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1686
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI630GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

AUIRFS8408-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF8010STRLPBF

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

infineon-technologies

BSB056N10NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON

infineon-technologies

IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3